sic dan ssic
Silikon Karbida Berikat Tindak Balas(SiC)
Reaction Bonded sic disinter dengan menambahkan silikon bebas (kandungan kurang daripada 12%) ke dalam sub-mikron pensinteran tindak balas Serbuk karbida silikon dalam relau pensinteran vakum 1500 ℃. Di bawah suhu tinggi, tindak balas silikon bebas meningkatkan prestasi pelincirannya dan mengurangkan pekali geserannya dan oleh itu menguatkan ciri-ciri rintangan haus dan keplastikan. Cincin pengedap keseluruhan maksimum boleh sebesar 800mm. Jadi ia digunakan secara meluas dalam industri galas, petroleum, kimia, motor, kapal dan injap pam.
ciri-ciri
Imej cermin Reaksi terikat
bahan silikon karbida menunjukkan bahawa
di bawah 200 × mikroskop optik,
kristal dan silikon bebas (tidak lebih daripada
12%) menunjukkan pengedaran seragam
dan saiz selepas pemprosesan kimia
bahagian bahan.
Silikon Karbida Tersinter (SSiC)
Silikon karbida tersinter disinter daripada serbuk silikon karbida sub-mikron dalam relau pensinteran vakum 2100℃. Kerana struktur kristal halus fasa tunggalnya mampu mengekalkan kekuatan tinggi pada suhu tinggi, produk ssic dengan ketulenan tinggi dan ketumpatan tinggi menjadikannya mempunyai rintangan kakisan yang sangat kuat. Ciri kemasan yang sangat baik menjadikannya amat sesuai untuk diaplikasikan pada muka pengedap mekanikal, injap, galas, petroleum, kimia, aeroangkasa, industri automotif.
ciri-ciri
Imej cermin Sintered
Silikon karbida selepas kakisan
bawah dalam 200 X mikroskop optik
menunjukkan taburan kristal
dan saiz adalah seragam dan
kristal terbesar adalah tidak lebih daripada
10μm.